开始供应用于下一代半导体的高NA EUV光掩模样品
东京--(美国商业资讯)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912) 成功实现超2nm（nm：10-9米）一代1逻辑半导体光掩模所需的精细图案分辨率，支持半导体制造领域的尖端工艺——极紫外光（EUV）光刻技术。
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DNP还完成了兼容高数值孔径2光掩模的标准评估，而超2nm的下一代半导体正在考虑采用高数值孔径技术。同时DNP已开始提供评估光掩模。高NA EUV光刻技术能够以比以前更高的分辨率在硅晶圆上形成精细图案，并有望实现高性能、低功耗的半导体。
[开发]
- 要实现超2nm一代EUV光刻的光掩模，需要图案比3nm一代小20%。这不仅指图案的大小和形状，还指在相同掩模的表面上解析所有类型精细图案所需的技术。这不仅包括标准的直线和矩形图案，还包括日益复杂的弯曲图案。 DNP在既定的3nm一代制造工艺基础上反复改进，达到了超2nm一代所需的图案分辨率
- 与标准EUV光刻相比，用于高NA-EUV光刻的光掩模需要更高的精度和更精细的加工。 DNP建立并优化了与传统EUV光刻光掩模不同的制造工艺流程。
[展望未来]
DNP将继续建立生产技术，目标是在2027财政年度开始大规模生产2nm一代逻辑半导体的光掩模。
我们还将继续与imec合作，推动光掩模制造技术的发展，并以实现1nm一代为目标。
1: 符合IRDS标准
2: 数值孔径（NA）是表示光学系统亮度和分辨率的数字。高NA是指将EUV曝光设备的镜头NA从传统的0.33扩大到0.55。
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DNP成立于1876年，现已发展成为全球领企业。该公司利用基于印刷的解决方案来设计新商业机会，同时保护环境，为所有人创造更加生机勃勃的世界。我们利用在微细加工和精密涂层技术方面的核心竞争力，为显示器、电子设备和光学薄膜市场提供产品。 我们还开发了蒸汽腔体和反射阵列等新产品，为更加人性化的信息社会提供下一代通信解决方案。
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用于超2nm一代EUV光刻的光掩模图像（照片：美国商业资讯）
