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村田开始量产市面首款1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、额定电压1.25kV、具备C0G特性的15nF多层片式陶瓷电容器

2025年12月03日 15:45:49 来自： (0)参与

主要特点
在1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、额定电压1.25kV且具备C0G特性的前提下，实现了15nF特大静电容量的多层片式陶瓷电容器。
1.25kV高耐压，适配SiC MOSFET。
C0G特性带来低损耗与稳定的电容值。

日本京都--(美国商业资讯)--株式会社村田制作所(TOKYO: 6981)（以下简称“村田”）初次开发⁽¹⁾并开始量产了1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、额定电压1.25kV、具备C0G特性的、15nF静电容量的多层片式陶瓷电容器（以下简称“本产品”）。该产品可用于车载充电器（OBC）⁽²⁾及高性能民用电子设备的电源电路，有助于实现高效率的电力变换，并在高电压条件下稳定运行。

本新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文： https://www.businesswire.com/news/home/20251201481918/zh-CN/

(1) 由村田调查得出。截至2025年12月1日。

(2) 车载充电器（OBC）：安装于电动汽车（EV）上，从外部电源为车载电池充电的装置。

在电动汽车搭载的车载充电器以及民用设备的电源电路中，通常会包含用于高效电力变换的谐振电路，以及用于遏制电流、电压峰值的缓冲（吸收）电路。由于这两类电路中高电压与大电流反复作用，元件性能的轻微变化就可能导致效率下降、设备发热，进而可能引发工作异常或故障。因此，市场亟需具备在温度变化下性能稳定、损耗低且能承受高电压的电容器。
近年来，电源电路中的开关器件⁽³⁾正从Si MOSFET⁽⁴⁾向能够实现更高效率与高速开关的SiC MOSFET转移。SiC MOSFET⁽⁵⁾通常要求1.2kV的耐压规格，因此对额定电压高于该水平的电容器需求在增加。

(3) 开关器件：以高速对电流进行通断控制，实现电压与频率变换的半导体器件。

(4) Si MOSFET：采用硅半导体的电力控制用开关器件。多用于低至中耐压场景。

(5) SiC MOSFET：采用碳化硅的高耐压、高效率电力控制用开关器件。多用于超过1.2kV的场景。

为此，村田通过特有的陶瓷素体与内部电极薄层化技术，首次在1210英寸尺寸实现了额定电压1.25kV、具备C0G特性、静电容量为15nF的本产品，并已开始量产。借助C0G特性的低损耗及电容随温度变化的稳定性，本产品适用于谐振电路与缓冲（吸收）电路。
今后，村田将继续推进多层片式陶瓷电容器的小型化、电容值扩展以及额定电压的提高，扩充产品阵容以满足市场需求，从而助力电子设备的小型化、高性能化与多功能化。同时，村田将通过在MLCC制造过程中更有效地利用天然资源、减少废弃物并推进循环利用等举措，以降低环境负荷。

主要特点

在1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、额定电压1.25kV且具备C0G特性的前提下，实现了特大15nF静电容量的多层片式陶瓷电容器。
1.25kV高耐压，适配SiC MOSFET。
C0G特性带来低损耗与稳定的电容值。

主要规格

芯片尺寸代码（英寸/毫米）	1210英寸（3.2×2.5mm）
温度特性（对应标准）	EIA
温度特性	C0G
工作温度	-55~125℃
电容值	4.7~15nF
电容容差	±1~±5%
额定电压（DC）	1,250Vdc