- 助力1.4纳米制程半导体生产，降低制造成本与能耗 -

东京--(美国商业资讯)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO:7912)今日宣布，已成功研发出电路线宽为10纳米（nm，10^-9米）的纳米压印光刻(NIL)模板。这款新型模板可实现性能对标1.4纳米制程的逻辑半导体的图案化，满足了尖端逻辑半导体的微型化需求。

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研发背景与目标

近年来，随着器件精密度的提升，市场对尖端半导体微型化的需求日益增长，这也推动了基于极紫外(EUV)光刻技术的生产进步。然而，EUV光刻技术在生产线建设和曝光工艺方面需要大量的资本投入，且能耗与运行成本居高不下。

DNP自2003年起便致力于NIL模板的研发工作，在高精度图案化领域成功积累了丰富的技术经验。

在此项最新进展中，DNP研发了一种具有10纳米线图案的NIL模板。它可以替代部分EUV光刻工艺，从而帮助那些不具备EUV光刻生产工艺的客户生产尖端逻辑半导体。

主要特性

• DNP利用自对准双重图案化(SADP)技术，成功实现了电路线宽为10纳米的新型NIL模板的研发。该技术通过对光刻设备形成的图案进行薄膜沉积和蚀刻处理，使图案密度提升一倍。
• 这项技术还能降低尖端半导体制造曝光过程中的能耗。得益于采用NIL技术的节能型超精细半导体加工技术，现可将能耗降至现有曝光工艺（如氟化氩(ArF)浸没式光刻和EUV光刻）的约十分之一。

未来规划

我们已启动对NIL模板的评估工作，计划于2027年实现量产。DNP将推进NIL模板的进一步开发，并提高产能以满足不断增长的需求，目标是到2030财年使NIL销售额增加到40亿日元。

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关于DNP

DNP创立于1876年，现已成为全球领军企业，以印刷技术为根基开拓创新商业机遇，兼顾环境保护，致力构建更具活力的世界。公司依托微细加工与精密涂布核心技术，为显示设备、电子器件及光学薄膜市场提供产品。

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